≡
  • 首页
  • 团队成员
  • 研究方向
  • 论文专利
  • 主持项目
  • 仪器设备
  • 招生招聘
管理登录| 宁波材料所| English
  • 首页
  • 团队成员
  • 研究方向
  • 论文专利
  • 主持项目
  • 仪器设备
  • 招生招聘

诸葛飞研究员受邀为《无机材料学报》撰写氧化物忆阻器领域综述

       类脑神经形态计算通过电子或光子器件集成来模拟人脑结构和功能。人工突触是类脑系统中数量最多的计算单元。忆阻器可模拟突触功能, 并具有优异的尺寸缩放性和低能耗, 是实现人工突触的理想元器件。利用欧姆定律和基尔霍夫定律, 忆阻器交叉阵列可执行并行的原位乘累加运算, 从而大幅提升类脑系统处理模拟信号的速度。氧化物制备容易, 和 CMOS 工艺兼容性强, 是使用最广泛的忆阻器材料。

       诸葛飞研究员近期受邀为《无机材料学报》撰写氧化物忆阻器领域综述。论文梳理了氧化物忆阻器的研究进展, 分别讨论了电控、光电混合调控和全光控忆阻器, 主要聚焦阻变机理、器件结构和性能。电控忆阻器工作一般会产生微结构变化和焦耳热, 将严重影响器件稳定性, 改进器件结构和材料成分可有效改善器件性能。利用光信号调控忆阻器电导, 不仅能降低能耗, 而且可避免产生微结构变化和焦耳热, 从而有望解决稳定性难题。此外, 光控忆阻器能直接感受光刺激, 单器件即可实现感/存/算功能, 可用于研发新型视觉传感器。因此, 全光控忆阻器的实现为忆阻器的研究和应用打开了一扇新窗口。

        该综述论文题目为“面向类脑计算的氧化物忆阻器”,由诸葛霞博士执笔撰写,发表于《无机材料学报》 2023, 38: 1149-1162 (DOI: 10.15541/jim20230066)。

日期:2023-11-01,   访问次数:2421
中国科学院宁波材料技术与工程研究所 © 2007- 2025
地址:浙江省宁波市镇海区中官西路1219号 Email: zhugefei@nimte.ac.cn